派瑞林真空镀膜技术既包括化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）又包括等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）。

CVD是一种将气体化学物质在固体表面上沉积成膜的方法，其中的化学反应在高温下进行。在CVD过程中，材料蒸发在气相中，然后在真空室中的衬底表面沉积。这种方法用于生长厚度较大的均匀薄膜，具有较高的晶体质量和较小的缺陷。

PECVD是CVD的一种变种，它在高频电场的激励下使用等离子体来增强反应。在PECVD过程中，气体在高频电场的作用下被电离形成等离子体，使反应速率增加。由于等离子体的参与，PCEVD膜具有较高的密度和较好的控制性能。由于电离过程的作用，PECVD能够以较低温度进行膜沉积，缺陷较少，适用于功能膜的生长。

派瑞林真空镀膜技术是同时结合了CVD和PECVD的优点的一种复合方法。派瑞林真空镀膜系统具备高温、高真空度以及等离子激发等多种特点，可用于制备高质量的薄膜材料。该技术广泛应用于光电、信息、光学和微电子等领域。

总的来说，派瑞林真空镀膜技术既采用了化学气相沉积（CVD）的高温反应过程，又利用了等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的高频电场激发特性。这使得派瑞林真空镀膜技术在沉积薄膜时既能保证较高晶体质量，又能提高沉积速率和材料控制性能，为不同领域的应用提供了一种优化选择。